MMBT3904FN3_R1_00001 是一款由ON Semiconductor生产的NPN型晶体管,属于通用双极型晶体管(BJT)系列。该器件广泛应用于小信号放大、开关电路以及各种通用电子电路中。该晶体管采用SOT-23封装,具有体积小、功耗低和可靠性高等特点,适合在各种工业控制、消费电子和通信设备中使用。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流:200mA
最大集电极-发射极电压:40V
最大基极电流:20mA
最大功耗:300mW
增益带宽积:100MHz
电流增益(hFE):最小100(在IC=10mA时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
MMBT3904FN3_R1_00001晶体管具有出色的性能特性和广泛的应用兼容性。其主要特性之一是高电流增益(hFE),使其非常适合用于小信号放大电路。该晶体管的高频响应可达100MHz,能够在中高频电路中稳定工作。此外,其低饱和电压和快速开关特性使其在数字开关应用中表现出色。SOT-23封装不仅节省空间,而且便于表面贴装工艺(SMT),提高了生产效率和可靠性。
这款晶体管的设计确保了在不同工作条件下的一致性能,能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定运行,适用于严苛环境下的工业和汽车应用。同时,其最大集电极电流为200mA,足以应对大多数低功率应用需求,而最大集电极-发射极电压为40V,保证了在较高电压条件下的安全运行。
另外,该晶体管具有较低的噪声水平,这使其在音频放大和信号处理应用中也表现出色。其基极电流限制在20mA以内,有助于防止过载情况下的损坏,从而提高了器件的可靠性。
MMBT3904FN3_R1_00001晶体管适用于多种电子电路设计,包括小信号放大器、数字开关电路、逻辑电平转换、驱动继电器或LED显示屏等负载、以及各种传感器接口电路。此外,它也常用于音频放大电路中的前置放大器部分、脉宽调制(PWM)控制电路、电源管理模块和微控制器外围电路。由于其高频特性,它还可以用于射频(RF)前端电路中的混频器或振荡器设计。在工业自动化系统、消费电子产品和通信设备中,这款晶体管都能发挥重要作用。
2N3904, BC847, PN2222A