类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：31A
　　漏源击穿电压（VDS）：200V
　　栅源击穿电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.18Ω
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

IXTH31N20MA具有多个显著特性，使其在电力电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在大电流条件下的低功耗和高效能。其次，该器件的高击穿电压（VDS）为200V，使其适用于中高压应用，如电源转换器、电机驱动和逆变器。此外，IXTH31N20MA具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
　　该MOSFET的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。此外，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了系统的整体效率。IXTH31N20MA还具备良好的抗雪崩能力和高能量耐受性，能够在苛刻的工作条件下提供稳定的性能。
　　由于其高栅极电荷（Qg）特性，IXTH31N20MA适用于需要高频率开关的应用场合，如DC-DC转换器和PWM控制器。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从10V到30V的驱动电压，使其在不同类型的驱动电路中均能正常工作。

IXTH31N20MA广泛应用于多种电力电子设备中，包括电源转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、工业自动化设备以及电动汽车充电系统。其高耐压能力和低导通电阻使其成为中高压电源应用的理想选择。此外，IXTH31N20MA还可用于电池管理系统、太阳能逆变器和储能系统等新兴领域。

IXTH31N20MF