ZGC060TD42K3300G5-B 是一款高性能的工业级功率MOSFET芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动领域。该器件采用先进的制造工艺,在保持低导通电阻的同时,优化了开关性能,从而降低了系统功耗。
其封装形式为TO-247,能够有效提升散热性能,适合在恶劣环境下长期稳定运行。此外,它具有优异的抗浪涌能力和快速开关速度,广泛应用于各类大功率电子设备中。
型号:ZGC060TD42K3300G5-B
类型:N沟道增强型MOSFET
VDS(漏源极电压):600V
RDS(on)(导通电阻):42mΩ
ID(连续漏极电流):33A
Qg(栅极电荷):85nC
fsw(最大开关频率):100kHz
封装:TO-247
工作温度范围:-55℃ to +175℃
ZGC060TD42K3300G5-B 的主要特点是具备低导通电阻与高耐压性能的结合,这使其非常适合需要高效能功率管理的应用场景。
1. 高击穿电压(600V),确保在高压环境下的可靠运行。
2. 极低的导通电阻(42mΩ),减少了导通损耗,提升了整体效率。
3. 快速开关特性,支持高达100kHz的工作频率,适用于高频电路设计。
4. 良好的热稳定性,允许更高的结温(+175°C),增强了器件在高温条件下的耐用性。
5. 内置雪崩保护功能,提高了系统的安全性和鲁棒性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
ZGC060TD42K3300G5-B 广泛应用于多个领域的电力电子设备中,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS):作为主功率开关管,用于AC/DC和DC/DC转换器。
2. 工业电机控制:提供高效的PWM驱动能力,适用于各种类型的电动机控制。
3. 太阳能逆变器:用作功率级开关,实现最大功率点跟踪(MPPT)。
4. 不间断电源(UPS):保证关键负载的持续供电。
5. 电动汽车充电站:参与直流快充模块中的功率调节。
6. LED照明驱动:用于高功率LED镇流器和调光电路。
由于其出色的性能和可靠性,该器件成为众多工程师在设计大功率系统时的首选方案。
ZGC060TD42K3300G4-A, IRFP460, STP30NF60