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DS1745Y-150 发布时间 时间:2025/9/3 22:57:07 查看 阅读:11

DS1745Y-150 是由 Maxim Integrated(美信)公司生产的一款低功耗的非易失性静态随机存取存储器(NV SRAM)模块。该芯片结合了SRAM的高速访问性能和非易失性存储技术,适用于需要在断电时保持数据完整性的应用。DS1745Y-150 集成了一个锂离子电池和控制电路,可在主电源失效时自动切换到电池供电,从而确保数据不丢失。

参数

容量:512k x 8 位(4Mbit)
  访问时间:150ns
  工作电压:3.3V
  电池寿命:10年以上
  数据保持电流:典型值1.5μA
  封装形式:28引脚SOIC
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

DS1745Y-150 的核心特性在于其非易失性存储能力,能够确保在断电情况下数据的安全性。该芯片内部集成的锂离子电池能够在主电源失效时立即接管供电,保持SRAM中的数据不丢失。其150ns的访问速度使得该芯片适用于高速数据存储应用,同时低功耗设计显著延长了电池寿命,典型数据保持电流仅为1.5μA。此外,DS1745Y-150 提供了自动电源切换功能,无需外部控制电路,简化了系统设计。
  芯片采用28引脚SOIC封装,适合高密度PCB布局,并支持宽工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业级环境。其内置的唯一标识符(UID)功能可用于设备识别和安全认证。DS1745Y-150 还支持软件和硬件写保护功能,防止在电源不稳定时发生意外写入或数据损坏。

应用

DS1745Y-150 主要应用于需要高可靠性和数据持久性的场景,例如工业控制系统、数据采集设备、医疗监测设备、智能仪表、网络设备以及嵌入式系统等。其非易失性存储特性也使其在POS终端、安防系统、自动售货机、通信基站等领域有广泛的应用价值。在需要频繁读写且断电后数据不能丢失的场合,DS1745Y-150 无疑是一个理想的选择。

替代型号

DS1743Y-150, DS1744Y-150

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