类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　连续漏极电流（Id）：380mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：1.5A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5Ω @ Vgs=10V, Id=100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：5.5Ω @ Vgs=5V, Id=100mA
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.2V @ Id=250μA
　　输入电容（Ciss）：25pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：16pF @ Vds=25V
　　反向传输电容（Crss）：3.5pF @ Vds=25V
　　栅极电荷（Qg）：3.5nC @ Vgs=10V
　　功耗（Ptot）：500mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

BSS60 N沟道MOSFET采用了英飞凌成熟的沟槽栅极技术，这种结构能够有效降低单位面积的导通电阻，从而提升器件的整体效率。其核心优势之一在于低Rds(on)，即使在较低的栅极驱动电压下（如5V），也能维持相对较小的导通损耗，这使得它非常适合由微控制器或逻辑门直接驱动的应用场景。器件的阈值电压范围适中（1.0V至2.2V），确保了在不同温度和工艺偏差条件下仍能可靠开启。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，输入电容和反向传输电容均保持在较低水平，有助于减少高频开关过程中的动态损耗，并降低对驱动电路的负担。这对于高频率工作的DC-DC变换器或脉宽调制（PWM）控制应用尤为重要。此外，BSS60具有较高的输入阻抗和极低的栅极电流，几乎不消耗驱动功率，进一步提升了系统的能效表现。
　　在可靠性方面，BSS60经过严格的质量认证，能够在-55°C至+150°C的结温范围内稳定工作，适应严苛的工业和汽车级环境要求。其SOT-23封装不仅节省PCB空间，还通过优化引脚布局改善了散热路径。尽管封装小巧，但在适当布局下仍可实现良好的热管理。该器件还具备一定的抗雪崩能量能力，能够在突发过压或感性负载断开时提供一定程度的自我保护。
　　静电放电（ESD）防护方面，BSS60内置一定程度的保护机制，可在装配和使用过程中抵御常见的人体模型（HBM）静电冲击，降低了因操作不当导致损坏的风险。总体而言，BSS60凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多中低功率开关应用中的理想选择。

BSS60广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要小型化和高效能切换功能的场合。一个典型应用是作为负载开关，用于控制电池供电设备中不同模块的电源通断，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的背光驱动或外设供电管理。在此类应用中，BSS60的低静态功耗和快速响应能力有助于延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换电路中，BSS60常被用作同步整流器或低端开关元件，特别是在升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中。其低Rds(on)减少了导通期间的能量损耗，提高了整体转换效率。此外，在电机驱动电路中，BSS60可用于驱动小型直流电机或步进电机的相位控制，适用于玩具、打印机、扫描仪等消费类机电产品。
　　工业控制领域中，BSS60也常用于继电器驱动、LED照明调光、传感器信号切换以及PLC输入输出模块中的固态开关替代机械触点。其固态特性避免了机械磨损和接触反弹问题，显著提升了系统的寿命和稳定性。另外，由于其具备良好的噪声抑制能力和较快的开关速度，也可用于模拟信号路由或多路复用器中的电子开关单元。
　　在便携式医疗设备、智能家居传感器节点以及IoT终端设备中，BSS60因其微型封装和低功耗特性而备受青睐。这些设备通常依赖电池运行且对体积敏感，因此BSS60的小尺寸和高集成度成为关键优势。总而言之，BSS60适用于所有需要安全、可靠且高效的中低电流开关解决方案的电子系统。

BSS60LS, BSS60N, BSS60P, FDN337N, 2N7002, IRLML6344