时间：2025/5/15 10:34:50
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3DFO2G08VS4215SSA00M 是一款基于 3D Flash 技术的存储芯片，由 Intel 推出。该器件采用了先进的三维堆叠技术，能够在有限的空间内提供更高的存储密度和更快的数据访问速度。这款芯片主要面向企业级存储应用，例如固态硬盘（SSD）、数据中心存储系统等。其设计优化了写入性能、耐用性和能耗表现，同时支持高吞吐量数据传输。
容量：2GB
接口类型：ONFI 4.0
工作电压：1.8V
存储单元结构：TLC（Triple-Level Cell）
封装形式：BGA
引脚数：169
最大顺序读取速度：400 MB/s
最大顺序写入速度：200 MB/s
擦写寿命：1000 次
3DFO2G08VS4215SSA00M 的核心优势在于其采用 3D NAND 技术，与传统平面 NAND 相比，它通过垂直堆叠存储单元来实现更高密度的存储能力。
此外，这款芯片支持 ONFI 4.0 接口规范，具备低延迟和高速数据传输的特点。在功耗管理方面，该器件能够根据负载动态调整能耗，从而降低整体运行成本。
可靠性方面，3DFO2G08VS4215SSA00M 提供了增强型纠错算法（ECC）以及磨损均衡机制，确保长期使用中的数据完整性。同时，其 TLC 存储单元结构在提供较高性价比的同时，仍能保持足够的耐用性。
这款芯片广泛应用于高性能存储设备中，包括消费级和企业级 SSD。
在数据中心领域，3DFO2G08VS4215SSA00M 能够满足大规模数据存储和快速检索的需求。
此外，它还适用于嵌入式系统，如工业控制、网络通信设备等需要高可靠性和大容量存储的场景。
3DFO4G16VS4215SSA00M
3DFO2G08VS4215SSB00M
