D83M-004 时间：2025/8/9 15:04:35 阅读：12

D83M-004 是一款由日本电气（NEC）公司推出的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率和高频开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻以及优良的热稳定性，使其在电源转换、电机控制以及DC-DC转换器等场合中得到广泛应用。D83M-004 属于N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装，适合高效率、紧凑型电源设计的需求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（最大）
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

D83M-004 MOSFET具有多项优良特性，首先其高耐压能力（500V）使其适用于高电压应用，如开关电源和电机驱动。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，它具备良好的热稳定性和散热性能，通过TO-220封装可以有效地将热量传导出去，确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。
　　D83M-004的栅极驱动特性也较为理想，具有较宽的栅极电压容限，允许使用标准的10V至15V栅极驱动电压，简化了驱动电路设计。同时，该器件的开关速度快，适用于高频开关应用，能够有效减小外围电路的体积并提高系统效率。此外，它还具备较强的抗过载能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性和稳定性。

应用

D83M-004广泛应用于多种功率电子设备中，尤其是在需要高耐压和高效能的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路以及各种类型的功率调节装置。在电源适配器、充电器、LED驱动器以及工业自动化设备中都可以找到该器件的身影。由于其良好的热管理和高可靠性，D83M-004也常用于汽车电子系统和新能源设备中。