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FOD8314R2 发布时间 时间:2025/4/30 11:23:09 查看 阅读:4

FOD8314R2 是一款高性能、低导通电阻的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备出色的开关性能和热稳定性,广泛适用于各种电源管理和功率转换应用。其封装形式为 SO-8,具有紧凑的设计和良好的散热性能。
  该芯片特别适合在高效率 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.5A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷:9nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

FOD8314R2 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可显著降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关性能,能够满足高频应用需求。
  3. 高度可靠的雪崩击穿保护功能,确保在异常条件下也能正常运行。
  4. 小型化封装设计,有助于减少 PCB 空间占用。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用。

应用

该元器件适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
  3. 电池管理系统中的充放电控制。
  4. 各类电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)控制器。
  5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输模块。

替代型号

FDP5802, IRF7404

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FOD8314R2参数

  • 现有数量1,092现货
  • 价格1 : ¥14.15000剪切带(CT)1,000 : ¥5.02179卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术光学耦合
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离5000Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)500ns,500ns
  • 脉宽失真(最大)300ns
  • 上升/下降时间(典型值)60ns,40ns
  • 电流 - 输出高、低1A,1A
  • 电流 - 峰值输出1.5A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)1.5V
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)25 mA
  • 电压 -?输出供电16V ~ 30V
  • 工作温度-40°C ~ 100°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-SOIC(0.268",6.80mm 宽)
  • 供应商器件封装6-SOP
  • 认证机构UL