时间:2025/11/12 19:02:26
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CL10B474KB8NNNC 是一款由三星电机(Samsung Electro-Mechanics)生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于Class 2类型的X7R介电材料系列,具备良好的温度稳定性和较高的体积效率,广泛应用于各类消费电子、工业控制和通信设备中。该型号的标称电容值为470nF(即0.47μF),额定电压为50V DC,适用于去耦、滤波、旁路及信号耦合等电路应用场景。其尺寸符合EIA标准的0805封装(2012公制),便于在高密度PCB布局中使用。CL10B474KB8NNNC采用镍/钯内电极结构,并经过无铅兼容端接处理,支持回流焊工艺,满足RoHS环保要求。由于其优异的电气性能和可靠性,这款电容常被用于电源管理模块、DC-DC转换器输入输出滤波、模拟前端保护电路以及高频数字系统的噪声抑制设计中。此外,该产品在生产过程中遵循严格的品质管控流程,确保批次一致性与长期稳定性,适合自动化贴片生产线使用。
电容值:470nF
容差:±10%
额定电压:50V DC
介电材料:X7R
温度特性:-55°C 至 +125°C,电容变化不超过±15%
封装尺寸:EIA 0805 (2.0mm x 1.25mm)
厚度:约1.25mm
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
绝缘电阻:≥4,000 MΩ 或时间常数 ≥200 sec
损耗因数(DF):≤2.5%
电极材料:Ni/Pd
端接类型:无铅兼容金属化端子
安装方式:表面贴装(SMD)
包装形式:卷带包装(Tape and Reel)
阻抗类型:低阻抗
适用焊接工艺:回流焊
CL10B474KB8NNNC 具备出色的温度稳定性,基于X7R类陶瓷介质,在-55°C到+125°C的宽温范围内,电容值的变化幅度控制在±15%以内,能够适应复杂的工作环境,尤其适用于对温漂有一定要求但又不需要NP0/C0G级别超高精度的应用场景。其470nF的电容值配合50V额定电压,使其在电源去耦和中频滤波电路中表现出色,能够在不显著占用PCB面积的前提下提供足够的储能能力。
该器件采用先进的叠层制造工艺,具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),有助于提升高频下的噪声滤除效果,特别适合用于开关电源输出端的平滑滤波以及IC供电引脚的局部去耦。此外,其0805小型化封装在保证机械强度的同时实现了较高的空间利用率,便于在紧凑型电子产品中进行布局设计。
CL10B474KB8NNNC 使用镍/钯作为内部电极材料,相较于传统的银钯体系更具成本优势,同时仍保持良好的导电性与耐热性。外电极经过三层端接结构处理(Cu/Ni/Sn),确保良好的可焊性和长期环境耐受性,防止因潮湿、氧化或热循环导致的连接失效。产品符合AEC-Q200可靠性标准的部分测试项目,具备较强的抗湿性、抗弯强度和热冲击能力,适用于多种严苛工况。
作为三星电机CL系列中的主流型号之一,该电容在批量供应方面具有高度稳定性,交期可控,广泛被全球ODM/OEM厂商采纳。其无铅端接设计完全符合RoHS、REACH等国际环保指令要求,支持绿色制造流程。此外,该器件在自动贴片过程中表现出良好的共面性和拾取稳定性,减少贴装不良率,提高生产良率。
CL10B474KB8NNNC 广泛应用于各类需要中等容量、中压等级且具备一定温度稳定性的电子电路中。常见用途包括但不限于:开关模式电源(SMPS)中的输入和输出滤波电容,用于平滑电压波动并抑制高频噪声;在DC-DC转换器模块中作为能量存储和纹波抑制元件,有效提升电源效率与系统稳定性;在微处理器、FPGA、ASIC等高性能数字芯片的电源引脚附近作为去耦电容,快速响应瞬态电流需求,降低电源轨道上的电压扰动。
该器件也常用于工业控制系统中的模拟信号调理电路,例如运算放大器的反馈网络或有源滤波器中,提供稳定的电容特性以确保信号精度;在传感器接口电路中用于抗干扰滤波和信号耦合,增强系统抗噪能力。此外,在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中,该电容可用于音频线路滤波、摄像头模组供电净化以及无线通信模块的电源管理部分。
在汽车电子领域,尽管未明确通过AEC-Q200全部认证,但其可靠的材料体系和制造工艺使其可应用于非关键性的车载信息娱乐系统、车内照明驱动或辅助电源单元中。同时,它也被用于通信基础设施设备,如路由器、交换机和光模块的电源管理电路中,保障高速数据传输时的电源完整性。由于其表面贴装特性,非常适合自动化大规模生产,广泛服务于EMS代工厂和终端制造商。
GRM21BR71H474KA01D
C2012X7R1H474K050AB
ECJ-2FBP1H474K
LL-10B474KB8NNNC
CL10B474KB8NNN