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GJM1555C1H8R4BB01D 发布时间 时间:2025/6/22 3:01:55 查看 阅读:5

GJM1555C1H8R4BB01D是一款高性能的射频功率放大器芯片,主要应用于无线通信系统中的信号增强。该器件采用了先进的半导体工艺技术,能够在高频段提供高增益、低噪声和高线性度的性能。其设计优化了在蜂窝基站、无线接入点以及其他射频设备中的应用。

参数

型号:GJM1555C1H8R4BB01D
  工作频率范围:3.4GHz 至 3.6GHz
  输出功率:28dBm(典型值)
  增益:15dB(典型值)
  电源电压:5V
  静态电流:350mA(典型值)
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GJM1555C1H8R4BB01D具备高效率的能量转换能力,能够显著降低功耗并提升系统整体性能。
  该芯片集成了偏置电路和匹配网络,减少了外部元件的需求,从而简化了设计流程。
  采用先进的GaAs或GaN工艺制造,确保了在高频段下的稳定性和可靠性。
  内置保护电路,包括过热保护和过流保护,提高了产品的耐用性。
  具有优良的线性度,适用于需要高保真度的通信场景。

应用

该芯片广泛应用于各种射频通信领域,例如:
  1. 蜂窝基站放大器
  2. 点对点微波链路
  3. 军用和商用无线通信系统
  4. WiMAX和其他宽带无线接入设备
  5. 测试测量仪器中的信号放大部分
  GJM1555C1H8R4BB01D凭借其卓越的性能表现,特别适合需要高功率密度和高效率的应用环境。

替代型号

GJM1555C1H8R4BA01D
  GJM1555C1H8R4BC01D

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GJM1555C1H8R4BB01D参数

  • 特色产品High Frequency - High Q Capacitors
  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 电容8.4pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-