时间：2025/6/16 22:17:32
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SI4814BDY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于高频开关应用和功率转换电路。
其封装形式为 TO-252 (DPAK)，并具备无铅特性，符合 RoHS 标准。该器件广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他功率管理应用中。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：19A
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：26nC（典型值）
输入电容：1490pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-252 (DPAK)
功耗：25W
SI4814BDY-T1-E3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻使其在功率转换应用中表现出色，能够减少功率损耗。
2. 高速开关能力，支持高频工作环境。
3. 封装紧凑，适合空间受限的应用场景。
4. 高电流处理能力，能够在重载条件下稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围使其适应各种严苛的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SI4814BDY-T1-E3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级控制。
2. 各种 DC-DC 转换器设计。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 电池管理系统中的保护和均衡功能。
SI4815DY, SI4813DY
