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GA0603A181FXAAP31G 发布时间 时间:2025/5/29 3:16:54 查看 阅读:12

GA0603A181FXAAP31G 是一款高性能的工业级功率MOSFET芯片,主要用于高效率电源转换、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著降低功耗并提高系统可靠性。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于中高压应用场景。其封装形式经过优化设计,能够满足严格的散热需求,并提供优异的电气性能。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:0.05Ω
  栅极电荷:75nC
  开关时间:开启延迟时间:45ns,关断下降时间:20ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0603A181FXAAP31G 的主要特点是低导通电阻和快速开关性能,这使得它在高频率应用中表现出色。同时,它的高耐压能力确保了在恶劣环境下的稳定运行。
  1. 低导通电阻(Rds(on))可减少传导损耗,从而提升整体效率。
  2. 快速开关速度有助于降低开关损耗,特别适合高频DC-DC转换器。
  3. 高额定电压(600V)使其适用于多种高压工业场景。
  4. 优秀的热稳定性,允许其在极端温度范围内可靠工作。
  5. 具备强大的抗浪涌能力和鲁棒性,适用于严苛的工作条件。

应用

GA0603A181FXAAP31G 广泛应用于需要高效功率管理的领域,包括但不限于以下方面:
  1. 工业电源和不间断电源(UPS)
  2. 电机驱动和控制
  3. 太阳能逆变器和风力发电设备
  4. 电动车充电站和车载充电器
  5. LED照明驱动电路
  6. 高压DC-DC转换器
  由于其出色的电气特性和可靠性,这款芯片非常适合对效率和耐用性有高要求的应用场景。

替代型号

GA0603A181FXAAP31H, IRFP460, STP18NF60Z

GA0603A181FXAAP31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容180 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-