时间：2025/6/20 9:29:41
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IPD30N10S3L34ATMA1是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各种高效率、高密度的功率转换应用。这款MOSFET特别适合用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动和电池保护等场景。其封装形式为TO-Leadless，能够提供良好的热性能和电气性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：56nC
开关时间：典型值ton=18ns，toff=22ns
结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-Leadless
IPD30N10S3L34ATMA1采用了先进的沟道技术，具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），可以实现快速的开关操作，从而减少开关损耗。
3. 具有出色的热性能，可承受更高的结温范围（最高达175°C）。
4. TO-Leadless封装设计减小了寄生电感的影响，同时提高了功率密度。
5. 可靠性高，满足汽车级和工业级应用要求。
IPD30N10S3L34ATMA1适用于多种高效率、高性能的电力电子应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关应用。
2. 电动车辆（EV/HEV）中的电机控制和DC-DC转换模块。
3. 工业自动化设备中的负载开关和电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器和其他新能源领域的功率转换系统。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制及保护电路。
IPW30N10S3L34ATMA1
BSC028N10NS5
IRF3205
