时间：2025/6/25 23:40:59
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FN21N1R0C500PAG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等领域。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和高开关速度方面表现出色，同时具有良好的热特性和可靠性。
FN21N1R0C500PAG 的封装形式为行业标准的功率封装，能够提供高效的散热性能，适合需要高效率和高可靠性的应用环境。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（典型值）：1.1Ω
栅极电荷：4nC
输入电容：350pF
结温范围：-55℃ 至 175℃
FN21N1R0C500PAG 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达 500V，适用于高压电路设计。
2. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性，具备较低的栅极电荷和输入电容，适合高频应用。
4. 强大的热性能，能够在高温环境下稳定运行，结温最高可达 175℃。
5. 小型化封装设计，便于 PCB 布局并减少整体设计尺寸。
6. 可靠性高，经过严格的测试和筛选，确保在各种恶劣条件下的稳定表现。
FN21N1R0C500PAG 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）的核心元件。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 各种负载切换应用，如继电器替代方案。
5. 工业设备中的功率管理和保护电路。
6. 家用电器中的电源模块和驱动单元。
IRF540N
FQP50N06L
STP16NF06
AO3400
