容量：8K x 8位
　　访问时间：10ns
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　电流消耗：最大工作电流 160mA（典型值）
　　封装形式：51引脚 TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行接口
　　数据保持电压：2V
　　待机电流：最大10mA

HD6264BLFP10LT 采用了先进的CMOS工艺，使其在高速运行的同时保持较低的功耗。在正常工作模式下，其最大电流消耗为160mA，而在待机模式下，电流消耗可降至10mA以下，非常适合对功耗敏感的应用。该SRAM芯片具有较宽的工作电压范围（4.5V至5.5V），增强了其在不同电源条件下的适应性。此外，其高速访问时间（10ns）确保了在高性能系统中能够实现快速的数据读写操作。采用TSOP封装形式，不仅节省了空间，还有利于提高系统的整体可靠性。工业级的工作温度范围使得该芯片能够适应各种严苛的环境条件。
　　另一个显著特点是其数据保持能力，在电源电压降至2V时仍能维持数据不丢失，这在突发断电或低功耗模式下尤为关键。此外，该芯片具备较高的抗干扰能力和稳定性，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。所有这些特性使得HD6264BLFP10LT 成为许多嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费电子产品中理想的存储解决方案。

HD6264BLFP10LT 广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的各类电子设备中。常见的应用包括工业自动化控制系统、嵌入式系统、通信设备、数据采集系统、医疗设备、测试与测量仪器以及消费类电子产品。在嵌入式系统中，该芯片通常作为高速缓存或临时数据存储器使用，以提高系统的运行效率。在工业控制和自动化设备中，其高可靠性和宽温工作范围确保了在恶劣环境下的稳定运行。在通信设备中，该SRAM芯片可用于高速数据缓冲和临时存储，以满足实时数据处理的需求。此外，在消费类电子产品中，如便携式音频设备和手持终端，其低功耗和小型化封装使其成为理想的选择。

CY62148EVLL-10ZSXC, IDT71V416SA10PFG, IS61LV256ALB4-10B4