KSR231GLFS 时间：2025/12/27 15:13:27 阅读：26

KSR231GLFS是一款由基美（KEMET）公司生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺制造，专为高效率、低导通电阻和快速开关应用而设计。该器件封装在小型的LFPAK（也称Power-SO8）封装中，具有优异的热性能和电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种应用场景。KSR231GLFS因其高可靠性和紧凑的封装形式，在消费电子、工业控制和通信设备中得到了广泛应用。
　　该MOSFET的栅极阈值电压较低，支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器或数字信号驱动，无需额外的驱动电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。其漏源电压额定值为-30V，连续漏极电流可达-19A，适合中等功率级别的开关操作。此外，器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

参数

型号：KSR231GLFS
　　类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：-19 A
　　脉冲漏极电流（ IDM）：-48 A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = -10V）：23 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = -4.5V）：31 mΩ
　　栅极电荷（Qg typ）：26 nC
　　输入电容（Ciss typ）：1270 pF
　　开启延迟时间（td(on) typ）：13 ns
　　关断延迟时间（td(off) typ）：32 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：LFPAK (Power-SO8)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS, 无卤素

特性

KSR231GLFS采用先进的沟槽MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其最大导通电阻在VGS = -10V时仅为23mΩ，在VGS = -4.5V时为31mΩ，这使得器件在低电压控制条件下仍能保持高效的能量传输，显著降低传导损耗，提升系统整体效率。这一特性特别适用于电池供电设备中的电源管理模块，例如便携式医疗设备、智能手机和平板电脑中的DC-DC降压变换器，能够有效延长电池续航时间。
　　该器件的栅极电荷（Qg）典型值为26nC，输入电容（Ciss）为1270pF，较低的栅极驱动需求减少了驱动电路的功耗，同时加快了开关速度，有助于实现高频开关操作。这对于提高电源系统的功率密度至关重要，尤其是在空间受限的应用中，如超薄笔记本电脑和嵌入式系统。开启延迟时间和关断延迟时间分别为13ns和32ns，表明其具备快速响应能力，能够在复杂的PWM控制策略下稳定运行。
　　KSR231GLFS采用LFPAK封装，这是一种改良的Power-SO8封装，通过底部散热焊盘将热量高效传导至PCB，提升了热稳定性与长期可靠性。相比传统封装如DPAK或SO-8，LFPAK在相同占位面积下提供了更好的热阻表现，允许器件在更高负载下持续工作而不发生过热损坏。此外，表面贴装设计便于自动化生产，提高了组装效率与一致性。
　　该MOSFET的工作结温范围为-55°C至+150°C，具备良好的高温耐受性，可在严苛环境下稳定运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流路径的拓扑结构，如同步整流和H桥驱动。综合来看，KSR231GLFS凭借其高性能参数、紧凑封装和高可靠性，成为众多中功率开关应用的理想选择。

应用

KSR231GLFS广泛应用于各类需要高效P沟道MOSFET的电源管理系统中。常见用途包括同步降压转换器中的高端开关，特别是在非隔离式DC-DC变换器中，配合N沟道MOSFET实现高效率的能量转换。由于其支持逻辑电平驱动，常用于微控制器直接控制的负载开关电路，如USB电源管理、显示屏背光控制和外设供电使能等场景。
　　在电池供电系统中，该器件可用于电池反接保护、充放电通路控制以及多电源切换电路，利用其低RDS(on)减少压降和发热，提升系统能效。此外，在电机驱动应用中，KSR231GLFS可作为H桥电路的一部分，控制直流电机的方向与启停，尤其适用于小型家电、电动工具和机器人控制系统。
　　工业控制领域中，它也被用于PLC模块、传感器供电单元和继电器替代方案（固态开关），以提高响应速度和寿命。通信设备中的电源模块同样采用此类高性能MOSFET，确保信号处理单元获得稳定且干净的供电。总之，凡是对尺寸、效率和可靠性有较高要求的低压大电流开关场合，KSR231GLFS均表现出色。