时间：2025/6/28 14:14:48
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A60Z6R2CT200T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效提升系统的效率和可靠性。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高电流承载能力和高效能转换的场景。其封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能，适合大功率应用环境。
型号：A60Z6R2CT200T
类型：N 沟道增强型 MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
总功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
A60Z6R2CT200T 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够在高电流条件下减少功率损耗，从而提高整体效率。
2. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压，确保在高压系统中的稳定运行。
3. 快速开关特性，降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。
4. 优秀的热性能设计，允许更高的功率密度和更长的使用寿命。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该器件主要应用于以下领域：
1. 工业设备中的逆变器和变频器。
2. 电动汽车及混合动力汽车的电机控制器。
3. 高效 DC-DC 转换器和开关电源。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
5. 照明系统中的 LED 驱动器。
6. 各类大功率电子负载和测试设备。
A60Z6R1CT200T, A60Z6R3CT200T, IRFP260N
