电容值：68μF
　　容差：±20%
　　额定电压：4kVDC
　　介质材料：Z5U 或 Y5V（典型用于高介电常数）
　　温度特性：+10% / -85%（Z5U）或 +30% / -80%（Y5V）
　　工作温度范围：-25°C 至 +85°C
　　封装类型：表面贴装（具体尺寸需查 datasheet，可能为大型矩形片式封装）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100MΩ·μF
　　损耗因数（DF）：≤5%（典型）
　　耐电压：可承受短时过压至额定电压的1.5倍

4SEP680M 具备高电压耐受能力和较大的电容容量，使其成为少数能够在数千伏应用中使用的表面贴装陶瓷电容器之一。这种电容器采用特殊的高介电常数陶瓷介质（如 Z5U 或 Y5V），通过多层堆叠技术实现微法级的电容值，突破了传统MLCC仅限于纳法至微法低端的限制。其最显著的优势在于无极性设计，这使得它在交流耦合、脉冲放电和反向电压频繁出现的电路中比电解电容更加可靠。此外，陶瓷结构赋予其极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而具备优异的高频响应性能，适合用于滤波、去耦和瞬态能量释放等场合。
　　另一个关键特性是长期稳定性与耐环境能力。相比电解电容容易干涸失效的问题，陶瓷电容不存在液体电解质，因此在高温环境下具有更长的使用寿命和更高的可靠性。同时，该器件具备良好的抗湿性和机械强度，能够承受回流焊过程中的热冲击，适合自动化生产流程。然而，必须指出的是，此类高K介质材料具有明显的电容电压依赖性，即随着施加直流偏压的增加，有效电容会大幅降低，例如在接近4kV工作电压时，实际电容可能仅为标称值的30%-50%。因此在电源滤波或储能应用中，必须依据偏压特性曲线进行精确评估。
　　此外，该器件对机械应力较为敏感，尤其是基板弯曲或热胀冷缩可能导致陶瓷开裂，进而引发短路故障。为此，PCB布局时建议避免将其布置在应力集中区域，并采用柔性端接结构或底部填充工艺来增强可靠性。总体而言，4SEP680M 是一种专为高压、中小能量存储与传输而优化的被动元件，适用于对体积、寿命和可靠性有较高要求的工业与电力电子系统。

4SEP680M 主要应用于需要高电压、中等电容值且空间受限的电子系统中。常见用途包括高压电源中的滤波与去耦，特别是在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和逆变器中用于稳定输出电压并抑制电压尖峰。在工业照明领域，如冷阴极荧光灯（CCFL）或LED驱动电路中，该电容器可用于交流耦合和脉冲能量传递，利用其无极性和快速响应特性提升系统效率与稳定性。
　　在电力电子设备中，例如电焊机、激光电源和X射线发生器等，4SEP680M 可作为储能或脉冲放电元件，在短时间内释放大量能量以满足负载需求。其低ESR 特性有助于减少能量损耗和发热，提高整体能效。此外，在感应加热系统和超声波发生器中，该电容也常被用于谐振回路构建，配合电感形成LC振荡网络，实现高效的能量转换。
　　在消费类电子产品中，尽管高压应用较少，但在某些高端电视、显示器背光驱动模块中仍可见其身影，用于高压生成与稳压环节。通信设备中的高压偏置电路也可能使用此类电容来隔离直流成分并传输高频信号。最后，在测试测量仪器和医疗电子设备中，由于对安全性和可靠性要求极高，4SEP680M 凭借其稳定的电气性能和长寿命特点，也成为优选的高压旁路或隔直电容解决方案。