时间：2025/6/10 16:28:53
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CPH3362-TL-W是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关速度，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其出色的热性能和可靠性使其成为各种工业及消费类电子产品的理想选择。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：47nC
开关时间：开启延迟时间(td(on))=11ns，关断传播时间(td(off))=17ns
工作温度范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263(表面贴装)
CPH3362-TL-W具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可以有效降低功率损耗。
2. 高额定电流能力，适用于大功率场景。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
4. 出色的热稳定性和耐热性，能够在极端条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 可靠性高，具备ESD保护功能以增强抗干扰能力。
7. 小型化封装设计，节省PCB空间。
CPH3362-TL-W适用于以下应用场景：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 汽车电子设备中的电机驱动和负载切换。
4. 工业自动化控制中的继电器替代方案。
5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、智能手机快充模块等中的功率转换组件。
6. LED驱动电路中的电流调节和开关控制元件。
CPH3362-TL-P, CPH3362-TL-D, IRF540N
