时间：2025/6/19 10:48:05
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FN18X122K500PSG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），主要设计用于高频和高效率的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，非常适合于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及负载切换等应用。此外，其封装形式为 PSG（Power Saving Package），具有良好的散热性能和紧凑的设计，有助于提升整体系统的功率密度。
型号：FN18X122K500PSG
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：500V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：122A
脉冲漏极电流(I_PULSE)：366A
导通电阻(R_DS(on))：18mΩ
总栅极电荷(Q_g)：175nC
输入电容(C_iss)：2440pF
输出电容(C_oss)：109pF
反向传输电容(C_rss)：280pF
工作结温范围(T_j)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PSG
FN18X122K500PSG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (R_DS(on))，在高电流条件下能够显著降低功耗。
2. 快速的开关速度，得益于其优化的总栅极电荷 (Q_g)，可以减少开关损耗。
3. 高额定漏源电压 (V_DS)，使其适用于高压应用场景。
4. 支持大电流操作，连续漏极电流高达 122A，并且具备更高的脉冲电流能力。
5. 优秀的热性能，结合 PSG 封装形式，可有效提高系统可靠性。
6. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应各种严苛环境条件。
7. 高度集成化设计，减少了外部元件数量，从而简化电路设计并节省空间。
FN18X122K500PSG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 系统中的功率转换。
2. 工业电机驱动及逆变器，包括伺服驱动和变频空调。
3. 高效 DC-DC 转换器模块，支持汽车电子和通信设备。
4. 大功率负载切换和保护电路，例如电池管理系统 (BMS)。
5. 新能源领域的太阳能逆变器和储能系统。
6. 各类工业自动化控制和电力电子设备。
这款 MOSFET 凭借其卓越的性能，特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
FN18X122K500PSE, IRFP260N, STW12NK50Z
