型号：UM100CDY-10
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（E-mode GaN HEMT）
　　材料：GaN-on-Si
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：10mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.4V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：4300pF
　　输出电容（Coss）：950pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C
　　栅极电荷（Qg）：35nC
　　工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN8x8
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：8

UM100CDY-10的核心优势在于其采用的增强型氮化镓技术，使其在导通状态下具有极低的导通电阻（RDS(on)仅为10mΩ），从而显著降低导通损耗，提升整体系统效率。与传统的硅基MOSFET相比，GaN器件拥有更快的开关速度，能够支持MHz级别的高频开关操作，这使得电源系统的磁性元件（如电感和变压器）可以大幅小型化，进而提高功率密度。该器件的反向恢复电荷（Qrr）为零，意味着体二极管无反向恢复电流，在硬开关或同步整流应用中可有效减少开关尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统可靠性。
　　UM100CDY-10具备良好的热管理能力，DFN8x8封装底部集成裸露焊盘，可通过PCB有效散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。其栅极驱动电压范围通常为0V至6V，开启电压约为1.4V~2.0V，与常见的3.3V或5V逻辑电平驱动器兼容，无需额外的负压关断电路，简化了驱动设计并降低了系统复杂度。器件内部集成了静电放电（ESD）保护结构，提高了在实际生产与使用过程中的鲁棒性。此外，该产品通过了AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、高压应力等严苛测试条件下均表现出优异的可靠性，适用于汽车级和工业级应用场景。
　　在动态性能方面，UM100CDY-10具有较低的栅极电荷（Qg=35nC）和输出电容（Coss=950pF），有助于减少驱动损耗和开关损耗，尤其在高频率软开关拓扑（如LLC谐振转换器、有源钳位反激ACF）中表现突出。其低寄生参数设计也减少了开关过程中的电压过冲和振荡风险。整体而言，UM100CDY-10凭借其高效率、高频率、高可靠性和易于集成的特点，成为现代高效电源系统中替代传统硅器件的理想选择。

UM100CDY-10广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源转换系统中。典型应用场景包括数据中心和服务器的48V直接降压转换器（如48V to 12V POL转换）、通信基站电源模块、工业用DC-DC变换器以及光伏逆变器中的高频桥臂开关。由于其具备优异的开关性能和低导通损耗，该器件特别适用于LLC谐振半桥/全桥拓扑、有源钳位反激（ACF）、图腾柱PFC（无桥PFC）等先进电路架构，能够在MHz级开关频率下实现95%以上的转换效率。
　　在消费类电子产品中，UM100CDY-10可用于大功率适配器和快充电源（如100W以上GaN充电器），帮助缩小产品体积并提升能效。此外，在新能源汽车领域，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块以及充电桩内部的高频电源模块，满足电动汽车对轻量化和高效能的双重需求。其AEC-Q101认证也使其具备进入汽车电子供应链的资质。工业自动化设备、高端UPS不间断电源系统以及医疗电源设备同样是其重要应用方向。得益于DFN8x8封装的小型化优势，UM100CDY-10非常适合空间受限但功率要求高的紧凑型设计。

GS-065B10S1C-D|IGOT6N100D1L3|TPH3R30PD