时间：2025/5/30 0:44:09
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STD25N10F7 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。
这款 MOSFET 的最大特点是其优秀的开关性能和热稳定性，使其成为工业及消费电子领域的理想选择。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：4.9mΩ
栅极电荷：68nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TOLL
STD25N10F7 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 10V 栅极驱动下仅为 4.9mΩ，有助于降低传导损耗。
2. 高效率和高功率密度设计，能够满足现代电力电子设备对节能的需求。
3. 快速开关能力，支持高达 1MHz 的开关频率，适合高频应用。
4. 出色的热性能和可靠性，在极端温度条件下仍能保持稳定运行。
5. 内置保护功能，如抗雪崩能力和 ESD 保护，增强了器件的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到绿色设计中。
STD25N10F7 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制，例如无刷直流电机（BLDC）驱动。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换和功率管理。
5. 电动汽车充电器和电池管理系统（BMS）。
6. 家用电器和消费电子产品中的高效功率转换电路。
STD30N10F7
IRFB4110TRPBF
INFINEON IPW25R040C7_L
SUP75P06-08E
