SM1U21PST 时间：2025/8/4 14:19:23 阅读：18

SM1U21PST是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌和其他瞬态过电压事件的影响。该器件采用先进的硅雪崩技术制造，具有快速响应时间、低钳位电压和高可靠性等特点，适用于广泛的工业、消费电子和通信设备。SM1U21PST采用紧凑的SMD封装形式，便于在PCB上安装并节省空间。

参数

类型：双向TVS
　　工作电压：12V
　　最大反向工作电压：12V
　　最大钳位电压：19.9V @ 3.76A
　　峰值脉冲电流（IPP）：3.76A
　　响应时间：小于1ns
　　封装形式：SOD-882
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　ESD耐受能力：±30kV（接触放电）

特性

SM1U21PST具有多个显著的技术特性，使其在瞬态电压抑制应用中表现出色。首先，该器件具有双向保护功能，适用于正负极性瞬态电压的保护，特别适合于交流信号线路或需要极性不敏感保护的应用场景。其次，其低钳位电压特性确保在发生瞬态过电压时能够快速将电压限制在安全范围内，从而有效保护后端电路不受损坏。此外，SM1U21PST的响应时间极短，通常小于1纳秒，可以在瞬态事件发生的瞬间迅速作出反应，提供即时的电压抑制。该器件还具有高浪涌吸收能力，可承受高达3.76A的峰值脉冲电流，适用于各种中等功率级别的保护需求。其紧凑的SOD-882封装形式不仅节省PCB空间，而且具备良好的热性能，适用于高密度电路设计。最后，该TVS器件在-55°C至+150°C的宽温度范围内保持稳定性能，适用于恶劣环境条件下的应用，如工业控制、汽车电子和户外通信设备。
　　在可靠性方面，SM1U21PST通过了多项国际标准认证，包括IEC 61000-4-2（静电放电抗扰度测试）等级4的测试，确保其在高静电环境中仍能维持优异的保护性能。其±30kV的接触放电耐受能力远高于一般TVS二极管，使其成为高可靠性系统设计的理想选择。

应用

SM1U21PST广泛应用于多种电子设备中，用于保护各类敏感电子元件免受瞬态电压的危害。常见的应用包括但不限于以下领域：工业自动化控制系统中的信号接口保护；消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的数据线和电源接口保护；通信设备如路由器、交换机和基站中的高速数据线保护；汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线及其他车载通信接口保护；家用电器中的控制面板和传感器接口保护。此外，由于其双向保护特性和低钳位电压，该器件也常用于交流电源线路或桥式整流电路中的过电压保护，确保系统在电压波动或雷击浪涌情况下仍能正常运行。