时间：2025/6/26 16:31:30
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FN18N182J500PBG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）推出的 N 沤道功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于需要高效能和低损耗的应用场景。
该芯片广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制以及消费类电子产品中。它能够在高电流和高频条件下保持出色的性能表现。
型号：FN18N182J500PBG
品牌：Fairchild (ON Semiconductor)
VDS（漏源极电压）：180V
RDS(on)（导通电阻）：45mΩ
ID（连续漏极电流）：18A
fT（转换频率）：3.6MHz
Qg（栅极电荷）：49nC
VGS(th)（栅极阈值电压）：2.5V
封装类型：PBG
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FN18N182J500PBG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高开关速度设计，使其非常适合高频应用场合。
3. 出色的热稳定性和可靠性，确保在极端环境下也能正常工作。
4. 小型化封装，节省PCB空间，适合紧凑型设计。
5. 提供强大的电气保护功能，例如静电放电(ESD)防护和短路耐受能力。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
该器件综合了高性能与易用性，是许多现代电子设备的理想选择。
这款 MOSFET 被广泛用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
3. 电池充电器和 UPS 系统的关键组件。
4. 通信电源和太阳能逆变器中的核心元件。
5. 各种负载切换和保护电路。
由于其优异的性能，FN18N182J500PBG 在需要高效能功率转换和控制的场景下表现尤为突出。
FDP18N18,
IRFZ44N,
FQP17N10,
STP18NF06L
