GA1206A680KBBBT31G 是一款由 GlobalFoundries 生产的高性能功率 MOSFET 芯片。该芯片主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合高效率电力转换场景。
这款 MOSFET 采用了先进的半导体制造工艺,能够提供出色的电气性能和可靠性,同时支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
型号:GA1206A680KBBBT31G
类型:N沟道 MOSFET
封装形式:TOLL
最大漏源电压(Vds):650V
最大栅极源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):68A
导通电阻(Rds(on)):6.8mΩ
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围(Topr):-55℃ to +175℃
GA1206A680KBBBT31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 6.8mΩ,从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
2. 高耐压能力,其最大漏源电压为 650V,适用于高压应用场景。
3. 快速开关速度,降低开关损耗,特别适合高频操作环境。
4. 采用 TOLL 封装形式,具备良好的散热性能和机械强度。
5. 工作温度范围宽广 (-55℃ 到 +175℃),确保在极端环境下仍能稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设计中。
GA1206A680KBBBT31G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电力管理系统
6. 工业自动化设备中的功率转换模块
7. 不间断电源(UPS)系统
由于其出色的电气特性和可靠性,该芯片成为许多高要求电力转换应用的理想选择。
GA1206A680KBBBT31H, GA1206A680KBBBT31J