型号：K4D263238E-GC40
　　制造商：Samsung
　　存储类型：DDR3 SDRAM
　　组织结构：1G x 32 (8Gb)
　　数据宽度：32位
　　速度等级：1600 Mbps (DDR3-1600)
　　时钟频率：800 MHz
　　工作电压：1.5V ±0.075V / 兼容1.35V
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：96-ball
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C (工业级)
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　CAS 延迟（CL）：可配置，典型值CL11
　　突发长度：固定或可编程（BL=8, BC4）
　　刷新模式：自动/自刷新/TCSR/PASR
　　输入/输出电平：SSTL_15
　　最大访问时间：约1.2ns（tAC）
　　封装尺寸：9mm x 13mm x 0.8mm（近似）

K4D263238E-GC40具备多项先进的电气与功能特性，使其成为高性能内存系统的理想选择。首先，该芯片采用了8bank并行架构设计，每个bank可独立操作，极大提升了并发访问效率和数据吞吐能力。通过8n预取技术，内核每次读取8bit数据，并在I/O接口以高速双沿传输方式送出，从而实现高频下的稳定数据率输出。其支持DDR3标准定义的多种操作模式，包括模式寄存器设置（MRS）、扩展模式寄存器设置（EMRS）以及ZQ校准功能，确保信号完整性在长距离布线或多负载环境下仍保持优良表现。
　　该器件集成了片上终端电阻（ODT, On-Die Termination），可在读写过程中动态启用内部匹配阻抗，有效减少信号反射和串扰，提高总线稳定性，特别适用于多颗粒并联的内存模组设计。此外，它支持写入电平训练（Write Leveling）和动态ODT控制，进一步优化了时序对齐与电源噪声抑制。温度补偿自刷新（TCSR）功能可根据芯片内部温度传感器反馈自动调节刷新周期，在高温环境下避免数据丢失，同时低温下降低刷新频率以节省能耗。
　　K4D263238E-GC40还提供强大的可靠性机制，如错误检测与恢复支持、部分阵列自刷新（PASR）用于局部区域休眠，以及深度掉电模式（Deep Power Down Mode）以实现极低静态功耗。其制造工艺基于先进深亚微米技术，具有良好的抗干扰能力和长期运行稳定性，满足严苛工业与通信应用需求。所有控制信号均参考差分时钟（CK/CK#），地址与命令在时钟上升沿采样，而数据则在双边沿传输，保证了精确的同步操作。整体设计兼顾性能、功耗与兼容性，是构建高效能嵌入式系统与服务器内存模块的关键组件之一。

K4D263238E-GC40主要应用于对内存带宽和稳定性要求较高的领域。常见使用场景包括企业级服务器主板、高端桌面计算机、工业控制主机、电信基站主控板、路由器与交换机的数据转发引擎、视频监控存储阵列以及高性能嵌入式处理平台。由于其x32位宽架构，该芯片常被用于组成UDIMM、RDIMM或LRDIMM内存条的核心存储单元，尤其适合需要大容量单颗颗粒的设计方案。在网络设备中，该芯片可支撑高速报文缓存与路由表存储；在视频处理系统中，可用于帧缓冲与实时图像拼接任务。此外，该器件也适用于测试测量仪器、医疗成像设备等专业设备中，作为临时数据暂存区，保障系统响应速度与数据连续性。得益于其宽温工作范围和高可靠性设计，K4D263238E-GC40亦可用于部分工业自动化与户外通信节点设备中，适应复杂环境下的长期运行需求。

K4B263238F-BC14
　　MTC4LCF1608PZ-16CS1