类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：6.2A（在 Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流 Idm：25A
　　导通电阻 Rds(on)：35mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散 Pd：3.3W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TSMT6（热增强型）

RGR6235 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），典型值仅为 35mΩ，这使得在高电流应用中可以显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了 ROHM 先进的沟槽栅极工艺，使得在相同芯片面积下实现了更低的导通电阻和更高的电流承载能力。
　　RGR6235 还具有良好的热性能，采用热增强型 TSMT6 封装，有助于在高负载条件下快速散热，从而提高器件的稳定性和可靠性。这种封装形式非常适合高密度 PCB 设计，并支持自动化贴片工艺。
　　此外，RGR6235 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，兼容多种栅极驱动 IC 和控制器。在应用中，它可以被用于同步整流、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池管理系统等场合。
　　由于其优异的性能和可靠性，RGR6235 也被广泛用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）等，满足 AEC-Q101 汽车级可靠性标准的要求。

RGR6235 的应用领域非常广泛，尤其适合中高功率 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关控制。例如，在电源管理模块中，它可以用作主开关元件，实现高效的电压转换和能量传输。在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，RGR6235 可用于电池保护电路和电源切换控制，提供稳定的电源管理功能。
　　在汽车电子系统中，RGR6235 可用于车载充电器、LED 照明驱动器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）等关键部件。由于其具备高可靠性和良好的热稳定性，特别适合在高温环境下工作，如发动机舱内的控制系统。
　　此外，RGR6235 还适用于工业自动化设备、电机控制模块和智能家电中的功率开关控制。其低导通电阻和高电流承载能力，使得在高效率和高可靠性要求的系统中表现优异。

RHR6235, SiSS6235, AO6235, IPD6235, FDN6235