最大正向电流（IF）：100 mA
　　最大反向电压（VR）：20 V
　　正向压降（VF）：0.35 V（典型值）
　　反向漏电流（IR）：50 nA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　结电容（Cj）：0.2 pF（典型值）
　　封装类型：SOT-23（表面贴装）

HSMS280PBLKG 具有优异的高频性能，能够在高达 10 GHz 的频率下稳定工作，非常适合射频和微波电路设计。其低正向压降特性有助于降低功耗，提高系统效率。快速恢复时间使其在高频开关应用中表现出色，响应速度快，减少信号失真。此外，该器件的反向漏电流极低，在高温环境下仍能保持良好的稳定性，确保系统长期可靠运行。HSMS280PBLKG 的 SOT-23 封装体积小巧，适合高密度电路板设计，同时兼容回流焊等现代封装工艺。
　　该肖特基二极管还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于复杂电磁环境中的高频电路。其结电容非常低，有助于减少高频信号的损耗和失真，提升整体系统性能。由于其出色的电气性能和稳定性，HSMS280PBLKG 在无线通信、雷达系统、测试测量设备和功率放大器模块中得到了广泛应用。

HSMS280PBLKG 主要用于射频和微波电路中的检波、混频和开关控制功能。它常见于无线通信系统中的射频前端模块，如基站、收发器和功率放大器中。在测试和测量设备中，该二极管用于高频信号检测和校准。此外，它还可用于工业控制系统中的高频信号处理电路，以及雷达和卫星通信系统中的混频器和调制解调器模块。HSMS280PBLKG 的小尺寸和高性能特性使其成为现代高频电子产品中不可或缺的组件。

HSMS-2800, HSMS285C, HSMS282C