类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：75V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：100W
　　导通电阻（Rds(on)）：最大7.5mΩ（@Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装类型：SOP

TCG075VG2AC-G00 MOSFET采用了先进的沟槽栅极结构和低电阻硅工艺，显著降低了导通损耗。其最大导通电阻为7.5mΩ，在高电流应用中能够有效减少功率损耗，提高系统效率。该器件的漏源电压为75V，能够满足多种中高压电源应用的需求，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路等。
　　该MOSFET具备高电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定工作。其栅极驱动电压范围为±20V，支持常见的10V或12V驱动电路，兼容多种控制器和驱动IC。此外，TCG075VG2AC-G00 采用SOP封装形式，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，适合高密度电源设计。
　　该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持可靠工作，增强了系统的鲁棒性。此外，它具有低门极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高高频工作的效率。这些特性使得TCG075VG2AC-G00在高性能电源和功率电子系统中具有广泛的应用前景。

TCG075VG2AC-G00 MOSFET主要应用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高效率电源转换器，如服务器电源、通信设备电源、工业控制系统和电动工具等。
　　在DC-DC转换器中，该器件可作为主开关或同步整流器，提升转换效率并减少发热。在电机控制和电池管理系统中，TCG075VG2AC-G00 可用于高侧或低侧开关，提供快速响应和稳定工作性能。此外，其SOP封装也适用于自动化生产和紧凑型设计要求，广泛用于便携式设备和嵌入式系统中的功率管理模块。

Si7456DP-T1-GE3, IRF1010EZ, TCG090AN20, TCG075VG2AC-G00