H5TQ2G63DFR-H9J 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM芯片,属于高带宽存储解决方案,广泛用于需要快速数据访问的设备,例如高性能计算、图形处理、网络设备和消费类电子产品。该芯片采用DDR4 SDRAM技术,具备高密度存储能力,低功耗设计,并支持高速数据传输。
容量:2Gb(256MB)
类型:DDR4 SDRAM
数据总线宽度:x64
电压:1.2V
封装:FBGA
工作温度:0°C至+85°C
时钟频率:最高支持1600MHz
H5TQ2G63DFR-H9J 是一款高性能、低功耗的DDR4 SDRAM芯片,采用了先进的制造工艺,提供稳定可靠的数据存储和传输能力。该芯片的容量为2Gb,适合用于需要大容量内存但功耗受限的应用场景。
其电压为1.2V,显著降低了功耗,适用于对能耗敏感的设备。DDR4技术的使用不仅提升了数据传输速率,还增强了内存的稳定性和兼容性。此外,该芯片支持高达1600MHz的时钟频率,确保了高速数据存取需求,从而提升了系统的整体性能。
封装形式为FBGA,具备较小的体积和良好的热性能,便于在紧凑的PCB布局中使用。该芯片的工作温度范围为0°C至85°C,适用于多种环境条件,从消费类电子产品到工业级设备均可适用。
作为一款高带宽内存解决方案,H5TQ2G63DFR-H9J不仅满足了现代电子设备对高速数据处理的需求,还通过优化设计降低了整体功耗,提升了系统的能效。
H5TQ2G63DFR-H9J 被广泛应用于各种高性能电子设备,包括个人计算机、服务器、图形加速卡、高端嵌入式系统、工业控制设备以及网络通信设备。由于其高速度和低功耗的特性,它也适用于移动设备和需要长时间运行的计算平台。
H5TQ2G63DFR-H9C, H5TQ2G63BFR-H9A