时间：2025/6/25 20:09:53
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TMK212AB7225MD-TR 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频工作条件下保持高效能表现。
这款MOSFET为N沟道增强型场效应晶体管，能够承受较高的漏源电压，同时具有较低的导通损耗，非常适合用于需要高效功率转换的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：70V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：65nC
输入电容(Ciss)：3400pF
输出电容(Coss)：940pF
反向传输电容(Crss)：160pF
最大功耗(Ptot)：20W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
TMK212AB7225MD-TR 提供了出色的电气性能和可靠性。其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频工作环境下的高效功率转换。
3. 强大的电流承载能力，使得它适合于大功率应用。
4. 耐热增强封装设计，可有效降低热阻并提高散热性能。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
6. 支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护，提高了系统的安全性和稳定性。
7. 稳定的工作特性和长寿命设计，确保在恶劣环境下依然可靠运行。
该功率MOSFET广泛应用于各类电子设备中，具体应用领域包括：
1. 开关电源(SMPS)，如AC-DC适配器和USB充电器。
2. DC-DC转换器，用于汽车电子系统和工业控制设备。
3. 电机驱动电路，适用于家用电器、电动工具以及工业自动化设备。
4. 电池管理单元(BMS)，用于电动车、不间断电源(UPS)和其他储能系统。
5. 通信电源和分布式供电架构中的功率模块。
6. 其他需要高效功率转换和控制的场合。
TMK212AB7225MD-TR-A, IRF7832, FDP5500
