IXFR27N80Q 时间：2025/8/6 9:00:16 阅读：42

IXFR27N80Q是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高功率密度和高效能的应用，例如电源转换、电机控制、照明系统和工业自动化设备。作为一款高压MOSFET，IXFR27N80Q具有良好的导通电阻和开关特性，能够在高电压条件下提供稳定可靠的性能。其封装形式为TO-263，便于在各种电路中进行安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：800V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：27A（在Tc=25℃时）
　　功耗(Pd)：250W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.22Ω
　　栅极电荷(Qg)：典型值为120nC
　　输入电容(Ciss)：典型值为1400pF

特性

IXFR27N80Q具备多项优良的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（800V）允许在高压环境中稳定运行，适用于AC/DC转换器、PFC电路等应用。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，IXFR27N80Q的栅极电荷（Qg）较低，使得开关损耗较小，适合高频开关应用。
　　该器件采用先进的MOSFET技术制造，具备优异的热稳定性与可靠性，能够在高温环境下长期运行。其TO-263封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于集成到PCB设计中。此外，IXFR27N80Q的短路耐受能力和抗雪崩能力也使其在严苛的应用条件下具备更高的安全性与稳定性。

应用

IXFR27N80Q广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、工业电机控制、电池充电器、功率因数校正（PFC）电路以及家电控制系统等。其高电压和大电流能力使其成为高效能电源转换系统的理想选择。此外，由于其封装形式适合自动化生产和良好的热管理能力，IXFR27N80Q也常用于需要长时间连续运行的工业和自动化设备中。