BRPG1211F-TR 是一款由 Rohm(罗姆)公司制造的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用紧凑的封装形式,适合在空间受限的环境中使用。BRPG1211F-TR 的设计使其能够在高电流和高频率下工作,同时保持较低的导通电阻,从而减少功率损耗并提高系统效率。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id):20 A
最大漏极-源极电压 (Vds):20 V
最大栅极-源极电压 (Vgs):±12 V
导通电阻 (Rds(on)):11.5 mΩ(典型值)
最大功耗 (Pd):60 W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:PowerSSO-16
BRPG1211F-TR 具备一系列显著的性能特点,使其成为高性能电源管理应用的理想选择。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。这种低电阻特性在高电流应用中尤为重要,因为它可以减少热量产生,延长器件的使用寿命。
其次,BRPG1211F-TR 的 N 沟道结构设计使其能够在较高的频率下工作,这使得它非常适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器以及电机控制等高频应用。此外,该器件的栅极驱动电压相对较低,这意味着它可以与标准的逻辑电平控制器兼容,简化了驱动电路的设计。
BRPG1211F-TR 还具有良好的热性能。其 PowerSSO-16 封装设计有助于快速散热,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。这种封装形式不仅提供了良好的热管理,还具有较小的尺寸,适合在空间受限的设计中使用。
安全性方面,BRPG1211F-TR 具有较高的耐压能力,能够在恶劣的电气环境中可靠工作。其最大漏极-源极电压为 20V,能够承受一定的电压波动,确保系统在异常情况下的稳定性。
最后,该器件的宽工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其能够在极端温度条件下正常工作,适用于工业、汽车和消费电子等多个领域。
BRPG1211F-TR 的应用领域非常广泛,尤其适用于需要高效率和高性能的电源管理系统。最常见的应用之一是开关电源(SMPS),其中该 MOSFET 可以作为主开关器件,用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。此外,它也广泛用于 DC-DC 转换器,尤其是在需要高电流输出的场合,如笔记本电脑电源适配器、服务器电源和电池充电器。
在电机控制方面,BRPG1211F-TR 可用于驱动小型电机或风扇,其高电流能力和快速开关特性使其能够在 PWM(脉宽调制)控制中表现出色。由于其低导通电阻和快速响应时间,该器件能够有效减少电机驱动过程中的能量损耗,提高系统的整体效率。
汽车电子是另一个重要的应用领域。BRPG1211F-TR 可用于车载充电器、LED 照明系统以及电池管理系统(BMS)。在这些应用中,MOSFET 需要承受较大的电流波动和较高的工作温度,而 BRPG1211F-TR 的高性能和可靠性使其成为理想选择。
此外,该器件也可用于消费电子产品,如智能手机、平板电脑和便携式电子设备中的电源管理电路。由于其紧凑的封装和高效的性能,BRPG1211F-TR 能够帮助设计工程师在有限的空间内实现更高效的电源管理。
Si4410BDY, IRF7413PBF, FDS6675CZ