时间：2025/6/30 11:40:07
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FN18N122J500PBG是一款由Fairchild（现为Onsemi）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点，适合用于各种需要高效能的电源管理和功率转换应用中。
该芯片通常被用作开关元件或负载驱动器，广泛应用于适配器、充电器、DC-DC转换器以及电机控制等领域。
型号：FN18N122J500PBG
品牌：Fairchild（现为Onsemi）
Vds（漏源电压）：120V
Rds(on)（导通电阻）：70mΩ（典型值，@Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：18A
Qg（总栅极电荷）：39nC（最大值）
EAS（雪崩能量）：1.4J
封装形式：PBG（Power Block Gen 5）
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，能够适应高频工作环境，减少开关损耗。
3. 出色的热稳定性，确保在高功率密度应用场景下长期可靠运行。
4. 强大的雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. Power Block Gen 5封装提供卓越的散热特性和电气连接性能。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压电路。
3. 电池充电器和适配器设计。
4. 电机驱动和控制电路。
5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
6. LED照明系统的驱动电路。
7. 汽车电子中的负载切换和电源管理部分。
IRFZ44N
FDP18N12
STP18NF12
INFINEON IPP18N120P4
