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L35L18VCB2 发布时间 时间:2025/6/6 15:37:23 查看 阅读:4

L35L18VCB2 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件采用 N 沟道增强型技术,具有低导通电阻和高效率的特点,适合高频应用场合。
  其封装形式为 TO-263(D2PAK),这种封装具备良好的散热性能,并且能够方便地集成到各种功率电子电路中。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:79nC
  输入电容:1800pF
  功耗:220W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

L35L18VCB2 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下具备更高的可靠性。
  3. 快速开关速度,可有效降低开关损耗。
  4. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  5. 内置防静电保护功能,增强器件稳定性。
  6. 良好的热性能,适应高功率密度的应用需求。

应用

L35L18VCB2 广泛适用于以下场景:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 汽车电子领域,例如电动车窗、座椅调节等。
  5. LED 照明系统的恒流驱动电路。
  6. 其他需要高效功率管理的场合。

替代型号

IRF3205, FDP55N20, AO3400

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