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S3MB-13-F 发布时间 时间:2025/12/26 3:39:49 查看 阅读:19

S3MB-13-F是一款表面贴装的肖特基势垒二极管,采用MB SOD-123FL封装。该器件由ON Semiconductor生产,适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。S3MB-13-F具有低正向电压降和快速开关特性,使其在电源整流、反向极性保护以及信号处理等应用中表现出色。其紧凑的设计允许在空间受限的印刷电路板上使用,同时保持良好的热性能和电气性能。此外,该二极管符合RoHS标准,确保了环境友好性和安全性。

参数

产品类型:肖特基势垒二极管
  制造商:ON Semiconductor
  封装/外壳:SOD-123FL
  包装:带卷(TR)
  二极管配置:单路
  反向耐压(Vr):30V
  平均整流电流(Io):500mA
  正向电压降(Vf):典型值0.43V(在50mA时)
  最大反向漏电流(Ir):200μA(在25°C时)
  工作结温范围:-55°C至+150°C
  峰值脉冲电流(Ifsm):8A
  热阻(RθJA):约250°C/W
  安装类型:表面贴装(SMT)

特性

S3MB-13-F肖特基二极管的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构使得它相较于传统的PN结二极管具备更低的正向导通压降和更快的开关速度。由于没有少数载流子存储效应,该器件在高频开关应用中表现优异,能够显著降低功率损耗并提升系统效率。其典型的正向电压仅为0.43V(在50mA条件下),这意味着在低电压、高效率要求的便携式电子设备或电池供电系统中,它可以有效减少能量浪费,延长电池寿命。同时,较低的Vf也有助于减小热耗散需求,从而简化散热设计。
  S3MB-13-F的最大平均整流电流为500mA,峰值脉冲电流可达8A,表明其具备一定的瞬态过载能力,适合应对突发性的电流冲击,如电源启动或负载切换过程中的浪涌电流。这使其不仅可用于持续工作的整流任务,也能胜任动态变化较大的电路环境。此外,该器件的反向重复电压为30V,适用于低压直流系统中的防反接保护、DC-DC转换器输出整流、续流二极管等功能模块。
  该二极管采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,尺寸紧凑(典型长度约2mm,宽度1.3mm,高度小于1mm),非常适合高密度PCB布局,广泛应用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端和其他对空间极为敏感的产品中。尽管体积小巧,但其热阻约为250°C/W,在合理布线和适当铜箔面积配合下仍能实现有效的热量传导。工作结温范围从-55°C到+150°C,保证了在严苛环境下的可靠性,无论是工业级还是消费类应用场景均可稳定运行。
  另外,S3MB-13-F符合RoHS指令,不含铅、镉等有害物质,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环保与安全的严格要求。制造工艺上采用了可靠的金属电极沉积技术和钝化层保护,增强了器件的长期稳定性与抗湿气侵蚀能力。整体而言,S3MB-13-F是一款集高效、小型化、环保于一体的高性能肖特基二极管,适用于多种低电压、高效率的现代电子系统设计。

应用

S3MB-13-F常用于各类低电压直流电路中的整流与保护功能。典型应用包括便携式电子设备(如手机、平板电脑、蓝牙耳机)中的电源管理单元,作为防反接保护二极管防止电池误插导致损坏;在DC-DC升压或降压转换器中用作同步整流或续流二极管,以提高转换效率并减少发热;也可用于USB供电路径管理、充电控制回路及LDO稳压器输出端的隔离二极管。此外,该器件还适用于传感器模块、无线通信模块(如Wi-Fi、ZigBee、LoRa)的电源轨保护,以及各种小型电源适配器、LED驱动电路中的高频整流场合。由于其快速响应特性,也适合用于信号钳位和ESD保护辅助电路中。

替代型号

MBR0530T1G
  PMBS3904,115
  BAS40-04W

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S3MB-13-F参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)1000V(1kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io)3A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.15V @ 3A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 1000V
  • 电容@ Vr, F40pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DO-214AA,SMB
  • 供应商设备封装SMB
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称S3MB-FDIDKR