类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大反向电压：650V
　　额定正向电流：10A
　　正向电压降：约1.7V（在25°C，10A条件下）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220
　　热阻（Rth）：约1.3°C/W
　　反向漏电流：在650V下约为100μA
　　恢复时间：近似于零恢复时间

CRXI10D065G2采用了先进的碳化硅技术，提供了极低的开关损耗和导通损耗，使其成为高频开关电源和高效率变换器的理想选择。该器件具有优异的热稳定性，能够在高达175°C的工作温度下稳定运行，这使得系统设计可以采用更小的散热器或更简单的冷却方案。此外，CRXI10D065G2具有近似于零的反向恢复时间，大大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。其高击穿电压和低漏电流特性也增强了器件在高压应用中的可靠性。
　　CRXI10D065G2的封装设计确保了良好的机械强度和电气绝缘性能，适合在各种工业环境中使用。该器件还具有较高的浪涌电流承受能力，能够在短时间内承受较大的过载电流而不损坏。此外，其低寄生电感和电容特性有助于提高系统的整体效率和稳定性。

CRXI10D065G2广泛应用于需要高效能、高可靠性和高功率密度的各种电力电子系统中。这些应用包括但不限于：DC-DC转换器、AC-DC电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、电机驱动器和不间断电源（UPS）。在这些应用中，CRXI10D065G2的高效率和低损耗特性能够显著提升系统的整体性能，并减少对散热系统的依赖。此外，该器件还适用于需要在高温或恶劣环境下运行的工业控制系统。

CRXI10D065F2、CRXI10D065H2、C3D10065A、C3D10065D