您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BAS16LT1G

BAS16LT1G 发布时间 时间:2022/11/29 13:49:45 查看 阅读:988

    最小反向电压VR(V):75

    最大反向漏电流IR(?A):1

    正向恢复电压VF最小值(V):-

 

目录

概述

    最小反向电压VR(V):75

    最大反向漏电流IR(A):1

    正向恢复电压VF最小值(V):-

    正向恢复电压VF最大值(V):1

    最大二极管电容CT(pF ):2

    反向恢复时间trr(ns):6

    类型:单开关管

    封装/温度(℃):SOT-23/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

BAS16LT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BAS16LT1G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

BAS16LT1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)75V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.25V @ 150mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)6ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 75V
  • 电容@ Vr, F2pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称BAS16LT1GOSDKR