时间：2025/11/13 8:57:56
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K7B163625M-QC10 是由三星（Samsung）生产的一款高密度、高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM）芯片，属于其K4/K7系列DRAM产品线的一部分。该器件是一款容量为256兆位（Mbit）的双倍数据速率（DDR）SDRAM，内部结构组织为16M x 16位，工作电压为2.5V，符合标准的DDR-400（PC-3200）规范，数据传输速率可达400 Mbps。这款芯片采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于需要高速数据处理能力的嵌入式系统、网络设备、图形处理器及消费类电子产品中。
K7B163625M-QC10 支持自动刷新、自刷新、突发长度可编程、CAS延迟可配置等多种功能，能够适应不同的系统需求。其封装形式为66-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），尺寸紧凑，适合高密度PCB布局。该芯片遵循JEDEC标准接口定义，兼容主流内存控制器，便于集成到多种平台中。此外，它还具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，在宽温范围内保持数据完整性，提升了在恶劣环境下的稳定性与可靠性。作为一款工业级或商业级存储解决方案，K7B163625M-QC10 在性能与成本之间实现了良好平衡，是许多中端嵌入式系统设计中的理想选择。
类型：DDR SDRAM
密度：256 Mbit
组织结构：16M x 16
工作电压：2.5V ± 0.17V
时钟频率：200 MHz
数据速率：400 Mbps
接口标准：SSTL_2
封装类型：66-ball FBGA
引脚间距：0.8 mm
工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
是否无铅：是
CAS 延迟：CL2.5 / CL2 可选
突发模式：突发长度4或整页
刷新周期：自动/自刷新支持
带宽等级：PC-3200
