MRA1600-2 时间：2025/9/3 2:05:16 阅读：7

MRA1600-2 是一款由摩托罗拉（Motorola）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高开关速度的电源管理应用。该器件采用 TO-220 封装，具备较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电源管理系统等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：11A
　　功耗（PD）：60W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

MRA1600-2 MOSFET 具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。其次，器件支持高达 11A 的连续漏极电流，适用于中高功率应用场景。此外，MRA1600-2 具备较强的热稳定性，其 TO-220 封装有助于散热，确保在高负载条件下仍能稳定工作。该器件还具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外围元件尺寸，提升系统集成度。同时，±20V 的栅源电压容限提供了更高的设计灵活性，允许使用多种栅极驱动电路。最后，MRA1600-2 的工作温度范围较宽（-55°C 至 +150°C），适合在恶劣环境中运行，如工业控制、车载电子系统等。

应用

MRA1600-2 MOSFET 主要用于需要高效率和高可靠性的功率控制电路中。典型应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制器、电源开关电路以及各种类型的功率调节模块。此外，该器件也常用于消费电子、工业自动化设备、通信电源及汽车电子系统中，作为关键的功率开关元件。由于其优异的导通特性和良好的热管理能力，MRA1600-2 在要求高效能和小尺寸设计的现代电子设备中具有广泛的应用前景。