时间：2025/8/2 6:21:17
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DMN6017SFV-7 是一款由 Diodes 公司制造的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关应用。该器件采用先进的 TrenchFET 技术，能够在较小的封装中提供较高的性能和效率。DMN6017SFV-7 通常用于电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC 转换器和逻辑电平转换等应用。
类型：P 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-5.3A（在 25°C 时）
功耗（PD）：1.5W
导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（在 VGS = -4.5V 时）
栅极电荷（Qg）：6.7nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-26（六引脚）
DMN6017SFV-7 采用先进的 TrenchFET 技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其低栅极电荷（Qg）使得该器件在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。此外，该 MOSFET 的小型 SOT-26 封装使其非常适合用于空间受限的设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 -12V 至 +12V，这使得它能够与多种控制电路兼容。DMN6017SFV-7 的热阻较低，有助于在高负载条件下保持稳定的温度性能，从而提高可靠性。其 P 沟道特性使其特别适合用于高端开关应用，例如在电源管理系统中作为负载开关或反向电流保护器件。
DMN6017SFV-7 主要用于需要高效、低功耗的电子系统中，例如便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）、电源管理模块、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及逻辑电平转换电路。由于其高效率和小尺寸封装，该器件也常用于工业控制设备、电信基础设施设备和汽车电子系统。
DMN6017SFV-7 可以被其他 P 沟道 MOSFET 如 DMN6017SDFV-7、Si3442DV-T1-E3、AO4406A 等替代。在选择替代型号时，应确保替代器件的电气特性和封装与 DMN6017SFV-7 相匹配，以确保系统兼容性和性能一致性。
