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FN03N8R2D500PLG 发布时间 时间:2025/5/27 15:03:58 查看 阅读:10

FN03N8R2D500PLG是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  该型号属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为行业标准的TO-220,适合表面贴装或通孔安装,广泛用于工业、汽车和消费类电子产品中。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:300mΩ
  栅极电荷:15nC
  总功耗:10W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:TO-220

特性

FN03N8R2D500PLG具备以下显著特性:
  1. 高耐压能力,可承受高达500V的漏源电压,适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻(300mΩ),在大电流应用中能有效减少功耗。
  3. 快速开关性能,栅极电荷仅为15nC,有助于提升效率并减少开关损耗。
  4. 优异的热稳定性,能够在极端温度环境下稳定运行。
  5. 可靠性高,经过严格的电气和机械测试,确保长期使用中的稳定性。

应用

这款MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流器或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
  6. 工业设备中的逆变器和变频器。

替代型号

IRF540N
  STP16NF50
  FQP17N50

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