类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）@25°C：110A
　　最大连续漏极电流（Id）@100°C：70A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：3.2mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：4.8mΩ
　　最大功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

CRTD110N03L 的主要特性之一是其极低的导通电阻，能够在高电流条件下提供高效的导通性能，从而减少功率损耗并提高系统效率。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时为3.2mΩ，在Vgs=4.5V时为4.8mΩ，表明其在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好的导通特性，适用于多种电源管理应用。
　　此外，该MOSFET具有高电流承载能力，最大连续漏极电流在25°C下可达110A，适用于高功率密度设计。其在100°C下的额定电流为70A，说明其在高温环境下仍能保持稳定的性能。这种热稳定性使其适用于需要长时间高负载运行的应用场景。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大Vgs，增强了其在不同驱动电路中的适用性。同时，其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，有助于提高生产效率和降低制造成本。
　　在可靠性方面，CRTD110N03L 支持宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），能够适应恶劣的环境条件。其最大功耗为250W，进一步表明其适用于高功率应用场景。

CRTD110N03L 主要应用于需要高效能功率转换和高电流开关的电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电源管理单元、电池充电器、负载开关、电机驱动器和电源供应器等。由于其具备低导通电阻和高电流能力，特别适用于要求高效率和高功率密度的设计。例如，在电动车（EV）或混合动力车（HEV）的电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和能量回收电路。在工业自动化和伺服电机控制系统中，它可作为功率开关元件，实现精确的电机控制。
　　此外，该MOSFET也可用于服务器电源、电信设备和工业控制系统的电源模块中，提供稳定可靠的功率转换性能。在消费类电子产品中，如高性能笔记本电脑和游戏设备的电源管理系统中，CRTD110N03L 也可作为主要的功率开关元件使用。

IRF110N30D、SiS110N03L、FDMS86180、IPD110N03L、AON6260