时间：2025/8/9 8:22:32
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FMW17N70G是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术，适用于高功率密度和高效率的开关电源（SMPS）和电机驱动应用。该器件的漏源电压（VDS）为700V，漏极电流（ID）可达17A，适合用于高电压、中等电流的电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：700V
漏极电流(ID)：17A
导通电阻(RDS(on))：典型值为0.48Ω
栅极电荷(Qg)：约50nC
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至+150°C
FMW17N70G具备优异的导通和开关性能，其沟槽栅极结构可显著降低导通电阻，提高系统效率。
该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少高频开关损耗，提高电源转换效率。
此外，其高耐压能力（700V）使其适用于各种离线式开关电源、AC-DC转换器以及LED照明驱动电路。
热稳定性良好，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级应用要求较高的场景。
该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性。
该MOSFET广泛应用于各种高电压开关电源系统，如适配器、充电器、LED驱动电源等。
适用于工业自动化设备中的电机驱动电路和变频器控制模块。
也可用于家用电器中的高效能电源模块，如空调、微波炉和洗衣机的电源管理单元。
此外，该器件还常用于太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，提供稳定的功率转换支持。
FQA16N70, STF16N70M, 2SK2146
