时间：2024/4/7 17:50:57
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STM32G431RBT6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC内核。它们的工作频率高达170MHz。Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU)，支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和一个增强应用程序安全性的存储器保护单元(MPU)。STM32G431RBT6嵌入了高速存储器(128 KB的闪存和32 KB的SRAM)、广泛的增强型I/O和连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的外围设备。还为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制：读出保护、写入保护、安全存储区域和专有代码读出保护。 这些设备嵌入了允许数学/算术函数加速的外围设备(CORDIC用于三角函数，FMAC单元用于滤波函数)。它们提供两个快速12位ADC(5 Msps)、四个比较器、三个运算放大器、四个DAC通道(两个外部和两个内部)、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、两个专用于电机控制的16位PWM定时器、七个通用16位定时器和一个16位低功耗定时器。
核心：Arm32位Cortex-M4 CPU，带FPU，
自适应实时加速器(ART加速器)，允许0等待状态执行
来自闪存，频率高达170 MHz
具有213个DMIPS、MPU、DSP指令
操作条件：
–VDD、VDDA电压范围：1.71 V至3.6 V
数学硬件加速器
–CORDIC用于三角函数加速
–FMAC：过滤数学加速器
记忆
–128 KB闪存，支持ECC，专有代码读取
保护(PCROP)，安全存储区，1K字节OTP
–22 KB的SRAM，在前16 KB上执行硬件奇偶校验
–常规升压器：10 KB SRAM
指令和数据总线，带有硬件奇偶校验(CCM SRAM)
重置和供应管理
–通电/断电复位(POR/PDR/BOR)
–可编程电压检测器(PVD)
–低功耗模式：睡眠、停止、待机和关机
–RTC和备份寄存器的VBAT电源
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | LQFP-64 | 包装 | 托盘 |
| 产品应用 | 高性能MCU | 核心处理器 | ARMCortex-M4F |
| 内核规格 | 32-位 | 速度 | 170MHz |
| 连接能力 | CANbus，I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART | 外设 | 欠压检测/复位，DMA，I2S，POR，PWM，WDT |
| I/O数 | 52 | 程序存储容量 | 128KB（128Kx8） |
| 程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
| RAM大小 | 32Kx8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V~3.6V |
| 数据转换器 | A/D23x12b;D/A4x12b | 振荡器类型 | 内部 |
| 工作温度 | -40°C~85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 基本产品编号 | STM32 | HTSUS | 8542.31.0001 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168小时） | ECCN | 3A991A2 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | REACH状态 | 非REACH产品 |
STM32G431RBT6原理图
STM32G431RBT6引脚图
STM32G431RBT6封装
STM32G431RBT6丝印
STM32G431RBT6料号解释
