时间：2025/8/28 0:00:25
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PQ025EZ1HZZ 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET模块，属于其PQ系列中的一部分。该模块专为高效率、高频率开关应用设计，适用于各种电力电子设备，如变频器、伺服驱动器、工业自动化设备和可再生能源系统。该模块采用双封装结构，内部集成了两个N沟道MOSFET器件，支持高电流和高电压操作，具有良好的热稳定性和电气性能。
类型：MOSFET模块
拓扑结构：双N沟道
最大漏源电压（Vds）：650V
最大漏极电流（Id）：25A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.09Ω
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：HZIP-4P
安装方式：通孔安装
额定功率：2.5kW（典型）
绝缘耐压：2500Vrms（1分钟）
PQ025EZ1HZZ具有多项先进的性能特点，确保其在高要求环境下的可靠运行。首先，该模块采用了低导通电阻的MOSFET芯片，显著降低了导通损耗，提高了整体能效。其次，其HZIP-4P封装设计具备良好的散热性能，能够快速将热量传导至散热器，从而提高模块在高负载条件下的稳定性。
此外，PQ025EZ1HZZ具备高耐压能力，最大漏源电压可达650V，适用于中高压功率转换系统。其内部双MOSFET结构可实现半桥或同步整流拓扑，提升系统的灵活性和效率。
该模块还具备出色的短路耐受能力和过温保护特性，增强了系统的安全性和可靠性。其封装符合RoHS环保标准，无铅且无卤素，适合环保要求较高的应用场景。
值得一提的是，PQ025EZ1HZZ采用紧凑的封装设计，节省了PCB空间，同时具备良好的机械强度和抗振动能力，适合工业自动化和交通运输等复杂环境中的使用。
PQ025EZ1HZZ广泛应用于需要高效、高频开关性能的电力电子系统中。其主要应用包括工业变频器、伺服电机驱动器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电设备以及智能电网系统等。在伺服驱动器中，该模块可用于构建高效率的功率转换电路，实现电机的精准控制；在光伏逆变器中，其低导通损耗和高开关频率特性有助于提高能量转换效率，减少发热。
此外，该模块还可用于高频DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及工业自动化设备中的功率控制单元。由于其具备良好的热管理和电气隔离能力，PQ025EZ1HZZ也适合在高温、高湿度或振动较大的工业环境中使用。
PQ025EZ1HFC, SPW47N60CFD, IRGP4063D1PBF
