时间：2025/9/2 10:03:14
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H9CCNNNBJTALAR-NVD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和低功耗应用设计。这款DRAM芯片采用了BGA（球栅阵列）封装技术，具有高容量、高速度和低功耗的特点，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等需要高性能内存的设备中。
容量：8GB
类型：LPDDR4 SDRAM
封装类型：BGA
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V / 1.8V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
接口类型：x16
封装尺寸：10mm x 12mm
制造工艺：20nm
内存架构：x16
H9CCNNNBJTALAR-NVD 是一款先进的低功耗DRAM芯片，专为高性能移动设备设计。其核心特性之一是低功耗运行，支持LPDDR4标准的节能模式，包括深度掉电模式和预充电节能模式，有助于延长设备电池寿命。此外，该芯片支持3200Mbps的高数据速率，能够在高频操作下提供稳定的性能，适用于高带宽需求的应用场景。
该芯片采用双电压供电设计，核心电压为1.1V，I/O电压为1.8V，进一步降低了功耗并提升了能效。同时，它具备良好的热管理和抗干扰能力，适合在紧凑的移动设备主板上使用。
H9CCNNNBJTALAR-NVD 还具有高集成度，单颗芯片即可提供8GB的存储容量，满足现代智能设备对大内存的需求。其BGA封装形式提供了稳定的电气连接和良好的散热性能，确保在高负载下依然能够稳定运行。
H9CCNNNBJTALAR-NVD 主要应用于高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及需要高性能低功耗内存的便携式电子产品。由于其高带宽和低功耗的特性，非常适合用于图形处理、多任务操作和大型应用程序的运行。
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