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CY62137FV30LL-45BVXI 发布时间 时间:2025/11/4 6:15:36 查看 阅读:16

CY62137FV30LL-45BVXI 是由 Cypress Semiconductor(现属于 Infineon Technologies)生产的一款高速 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于 CY62137FV30 系列,采用先进的制造工艺,具有高性能和低功耗特性,适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。这款 SRAM 提供 512K × 32 位的组织结构,总容量为 16 Mbit(即 2 MB),通过并行接口实现高速数据传输。其工作电压为 3.3V ± 0.3V,适合在工业级温度范围内运行(-40°C 至 +85°C),因此广泛应用于通信设备、网络基础设施、工业控制、医疗设备以及嵌入式系统中。
  CY62137FV30LL-45BVXI 采用 90 引脚 TQFP(薄型四边扁平封装)或类似的表面贴装封装形式,引脚间距适中,便于 PCB 布局与焊接。该器件支持通用异步总线操作,具备双向数据总线和三态输出功能,能够轻松地与微处理器、DSP 或 FPGA 等主控器件连接。此外,它还具备自动低功耗模式,在片选信号无效时自动进入待机状态,从而降低静态电流消耗,提升能效表现。该芯片符合 RoHS 环保标准,并经过严格的可靠性测试,确保在恶劣环境下的长期稳定运行。

参数

类型:CMOS SRAM
  密度:16 Mbit
  组织结构:512K × 32
  工作电压:3.3V ± 0.3V
  访问时间:45 ns
  封装类型:90-pin TQFP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  读取电流(最大):35 mA
  待机电流(ISB1):≤ 3 mA
  待机电流(ISB2,掉电模式):≤ 10 μA
  输入/输出逻辑电平:LVTTL 兼容
  写使能控制:WE#, OE#, CE# 三重片选控制
  总线保持功能:支持
  刷新要求:无需刷新(静态 RAM)

特性

CY62137FV30LL-45BVXI 具备多项高性能特性,使其成为高速数据缓冲和实时处理系统的理想选择。首先,其 45ns 的快速访问时间确保了在高频率系统总线下仍能保持稳定的读写性能,适用于对延迟敏感的应用场景。该器件采用标准的异步 SRAM 接口协议,支持全地址和数据总线分离设计,允许直接连接到多种处理器平台,如 ARM、PowerPC、MIPS 架构的 SoC 或 FPGA 自定义逻辑系统,简化了硬件接口设计。
  其次,该 SRAM 支持低功耗管理模式。当片选信号 CE# 被置为高电平时,器件自动进入低功耗待机模式,显著降低静态电流至 3mA 以下;若进一步启用掉电模式,则可将电流降至 10μA 以内,非常适合电池供电或绿色节能型设备使用。这种灵活的电源管理机制不仅延长了系统续航能力,也减少了热耗散问题,提升了整体系统稳定性。
  再者,CY62137FV30LL-45BVXI 具备出色的抗干扰能力和信号完整性设计。所有输入端均内置施密特触发器和上拉/下拉电阻选项,增强了噪声抑制能力;数据输出端具备三态缓冲功能,防止总线冲突,允许多个存储器共享同一数据总线。同时,地址建立时间和保持时间要求明确且宽松,便于时序匹配和 PCB 布线优化。
  最后,该器件通过 AEC-Q100 认证(视具体批次而定),具备高可靠性和长期供货保障。Infineon 提供完整的技术支持文档,包括数据手册、应用笔记、PCB 封装模型和仿真工具,帮助工程师快速完成产品选型与系统集成。

应用

CY62137FV30LL-45BVXI 广泛应用于需要大容量、高速度、高可靠性的嵌入式系统中。在通信领域,常用于路由器、交换机和基站中的帧缓冲、报文队列存储和临时数据缓存,支持千兆乃至万兆以太网的数据突发处理需求。在网络视频监控设备中,该芯片可用于存储图像传感器采集的原始视频帧,配合 DSP 进行编码压缩前的预处理,保证画面流畅无丢帧。
  在工业自动化控制系统中,该 SRAM 可作为 PLC 控制器或运动控制卡的中间数据存储单元,用于保存实时采样数据、PID 控制参数或故障日志信息,确保关键任务执行过程中的数据可访问性与响应速度。此外,在医疗成像设备如超声仪、内窥镜主机中,该芯片用于暂存高频采集的生理信号或图像数据,满足医学影像处理对低延迟和高带宽的要求。
  在军事与航空航天领域,由于其宽温工作能力和抗辐射设计(部分版本),也被用于雷达信号处理模块、飞行控制系统和卫星遥测终端中。同时,该器件适用于高端测试仪器仪表,如逻辑分析仪、示波器等,用作深层数据采集缓冲区。得益于其成熟的供应链和技术支持体系,该型号在工业级和扩展温度级应用场景中具有较高的市场占有率。

替代型号

CY62137FV30LL-45BAXI
  IS61WV51232BLL-45BLI

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CY62137FV30LL-45BVXI参数

  • 数据列表CY62137FV30
  • 标准包装480
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 异步
  • 存储容量2M (128K x 16)
  • 速度45ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.2 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-VFBGA
  • 供应商设备封装48-VFBGA(6x8)
  • 包装托盘