时间：2025/8/9 12:31:47
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FMV12N50EHF是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率电源管理系统。该器件采用了先进的平面条形FET技术，提供优异的电气性能和热稳定性。适用于各种电源转换器、开关电源和电机控制应用。FMV12N50EHF具有高耐压和低导通电阻的特点，使其在高功率密度设计中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：500V
最大漏极电流（ID）：12A（25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω @ VGS=10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
最大耗散功率（PD）：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
FMV12N50EHF MOSFET采用了先进的平面条形技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高耐压特性使其适用于500V的高压应用场景。此外，FMV12N50EHF具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下保持稳定运行，适用于需要高可靠性的工业设备和电源系统。
该MOSFET的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了稳定的开关性能。其TO-220封装形式有助于提高散热效率，使器件在高功率运行时仍能保持较低的温度。此外，60W的最大耗散功率使其能够承受较大的工作负载，适用于需要长时间运行的高负载应用。
FMV12N50EHF广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电机控制和照明驱动器等功率电子设备中。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高压电源管理系统的理想选择。此外，该器件也适用于工业自动化设备、家用电器和汽车电子系统中的功率控制模块。
FQP12N50C、IRF840、STP12N50U、K2645、FMV15N50EHF
