FMP08N50E 时间：2025/8/9 12:34:57 阅读：14

FMP08N50E是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有优异的热稳定性和电流处理能力。其主要设计目标是满足高效能电源转换系统的需求，如DC-DC转换器、电源管理模块、马达驱动器和各种工业控制电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：8A
　　最大漏-源电压：500V
　　最大栅-源电压：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.85Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

特性

FMP08N50E具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，其低导通电阻确保了在高电流工作状态下仍能保持较低的功率损耗，提高了整体系统效率。其次，500V的高耐压能力使得该MOSFET适用于高压电源转换器和需要高击穿电压的场合。
　　此外，FMP08N50E采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。该封装形式也便于安装散热片，进一步增强其热管理能力。
　　该器件还具备出色的开关特性，导通和关断时间短，减少了开关损耗，提高了响应速度。这一特性对于高频开关电源、马达控制和逆变器等应用尤为重要。
　　最后，FMP08N50E的栅极驱动电压范围宽（±30V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。同时，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，提高了在突发电压和电流冲击下的可靠性。

应用

FMP08N50E广泛应用于各类高功率和高压电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，它可作为主开关元件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，该MOSFET用于升降压电路，提升转换效率并减小电路体积。
　　此外，该器件也常用于工业控制设备中的马达驱动电路，提供稳定的电流控制和高效率运行。在照明系统中，特别是高压气体放电灯（HID）和LED驱动电源中，FMP08N50E可用于高频开关，确保稳定可靠的光源控制。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）以及各种需要高耐压和大电流能力的功率控制电路。